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 (略) (略) ，于 *** 在公告。 (略) 方式，现邀请合格投标人参加投标。
1、招标条件
项目概况:中芯集成电路制造（ (略) ）有限公司计划为中芯 (略) 特种晶圆工艺生产线项目购买 * 批工艺生产设备
资金到位或资金来源落实情况:资金已到位
(略) 条件的说明: (略) 条件
2、招标内容
招标项目编号: ***
招标项目名称:中芯 (略) 特种晶圆工艺生产线项目2#第 * 批——晶圆清洗机
项目实施地点:中国 (略) 省
招标产品列表(主要设备):

序号	产品名称	数量	简要技术规格	备注
1	晶圆清洗机	4台	1 晶圆清洗机/Metal Al/Au/Cr etch 1 台/1 set 1、实现 * 纳米级别清洗2、使用化学品 (略) 去除以达到需要的厚度和均匀性2 晶圆清洗机 / Oxide/Nitride recycle 1台/1 set 1、实现 * 纳米级别清洗2、使用化学品 (略) 去除以达到需要的厚度和均匀性3 晶圆清洗机 /Metal recycle 1台/1 set 1、实现 * 纳米级别清洗2、使用化学品 (略) 去除以达到需要的厚度和均匀性4 晶圆清洗机 /Poly recycle 1台/1 set 1、实现 * 纳米级别清洗2、使用化学品 (略) 去除以达到需要的厚度和均匀性
2	晶硅刻蚀机、氧化刻蚀机	3台	1 晶硅刻蚀机/Oxide dry etch 2台/2sets 1.实现多晶硅刻蚀要求etch rate > * A/min2.主刻蚀比氧化层选择比大于 * *** r 与chamber 差异小于5%。2 氧化刻蚀机/Oxide dry etch 1台/1set 1.实现多晶硅刻蚀要求etch rate > * A/min2.主刻蚀比氧化层选择比大于 * *** r 与chamber 差异小于5%。
3	化学镀	1台	1.实现Al-Cu/Al-Si上沉积超均 * 性NiPdAu镀层之要求2.镀层厚度Spec. Ni=2-4um,Pd=0. * -0. * um,Au=0. * -0. * um3. 镀层均 * 性满足Cpk>2. * . 实现薄片（wafer thickness< * um）应对技术，破片率<1/ *
4	激光热退火机	1台	实现离子注入后的激光退火工艺
5	干法去胶机/	2台	1.Strip Rate: * 0+/- * A *** Rate Uni : <8%WPH> * P/H
6	晶圆外观检查机	5台	实现0. * um的微观测量/ Realization of 0. * um Micro-observation

3、投标人资格要求
投标人应具备的资格或业绩:1）具有独立的法人资格，相应的经营范围。投标方应具有正规 (略) 、 (略) 及零备件保税库。在中国境内应有专门负责的经验丰富的维修工程师和专门的技术应用支持工程师。 2）投标人提供的设备需要在业界有安装使用的经验 。
是否接受联合体投标:不接受
未领购招标文件是否可以参加投标:不可以
4、招标文件的获取
招标文件领购开始时间: ***
招标文件领购结束时间: ***
是否在线售卖标书:否
获取招标文件方式:现场领购
招标文件领购地点： (略) 有限公司
招标文件售价:￥ * /$ *
5、投标文件的递交
投标截止时间（开标时间）: *** * : *
投标文件送达地点: (略) 市 (略) 路 * (略) * 楼
开标地点: (略) 市 (略) 路 * (略) * 楼
6、投标人在投标 (略) （http:/ *** ） (略) 投标电子交易平台（http://）完成注册及信息核验。评标结 (略) 和公示。
7、联系方式
招标人:中芯集成电路制造（ (略) ）有限公司
地址:中国 (略) (略) 区皋埠镇 (略) 路 * 号
联系人:韩倩倩
联系方式:+ * - * - ***
招标代理机构: (略) 有限公司
地址: (略) 市 (略) 路 * 号
联系人:王鼎 王晟
联系方式: *** ***
8、汇款方式:
招标代理 (略) (人民币):
招标代理 (略) (美元):
账号(人民币):
账号(美元):